大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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