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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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