大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guān龙有几个爪 龙有两个根吗g)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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