大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依山西有多少人口2023年，山西有多少人口2022法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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