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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而(很久没做了是不是会时间变短，为什么好久不做时间会变短ér)采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫很久没做了是不是会时间变短，为什么好久不做时间会变短存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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