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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷)息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。<冰箱1到5哪个最冷，冰箱1最冷还是5最冷/p>

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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