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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhō作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么ng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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