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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信美瞳最长一天可以戴多久，美瞳能戴多久一天网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应美瞳最长一天可以戴多久，美瞳能戴多久一天商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　美瞳最长一天可以戴多久，美瞳能戴多久一天rong>分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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