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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃成(chéng)重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(y大闸蟹几月份开始上市，大闸蟹几月份最好吃è)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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