大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法m是什么意思性取向》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第m是什么意思性取向三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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