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七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁

七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

  美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

  审查(chá)发现,美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ),网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规,我国(guó)内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

  此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查,目的七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全,是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月(yuè)31日,中国网(wǎng)信网发文称,为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险,维护国家安(ān)全,依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降,至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前(qián)就分析,如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qiá七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁n)前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单,设备(bèi)国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(hǎi)(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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