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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进夏洛的网主要内容50字左右，夏洛的网主要内容100字行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)夏洛的网主要内容50字左右，夏洛的网主要内容100字际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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