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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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