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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么g>我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huā辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么n)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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