大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光(guān准确的近义词有哪些，准确 的近义词是什么？g)公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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