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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)1500毫升水等于多少斤 1500毫升水是几瓶矿泉水求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(j1500毫升水等于多少斤 1500毫升水是几瓶矿泉水ìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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