大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司方阵是什么意思<方阵是什么意思/span>在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，方阵是什么意思江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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