大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安卡西欧手表是名牌吗，卡西欧手表很掉档次吗全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(j卡西欧手表是名牌吗，卡西欧手表很掉档次吗ìn)高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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