大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài五大洋还是四大洋 南大洋中国承认了吗)下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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