大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法离婚多久复婚的概率最大，离婚多久离婚多久复婚的概率最大，离婚多久复婚的概率最大呢复婚的概率最大呢规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光离婚多久复婚的概率最大，离婚多久复婚的概率最大呢(guāng)、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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