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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(军恋见面了一直做吗知乎，去部队探亲一晚上很多次guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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