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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少(s骨架大的男生一般都很高吗，为什么身高越高性功能越差'color: #ff0000; line-height: 24px;'>骨架大的男生一般都很高吗，为什么身高越高性功能越差hǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀骨架大的男生一般都很高吗，为什么身高越高性功能越差目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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