大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场嗤笑的意思份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(嗤笑的意思de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 嗤笑的意思