做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思

　　大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思g>我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全做梦梦到孟婆是什么意思，始于月老终于孟婆是什么意思(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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