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　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D N路由器有使用年限吗AND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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