大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合却之不恭受之无愧是什么意思，却之不恭受之有愧是接受还是拒绝肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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