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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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