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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法(fǎkind用法固定搭配，kind用法总结)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品kind用法固定搭配，kind用法总结#ff0000; line-height: 24px;'>kind用法固定搭配，kind用法总结服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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