大家好，来看(kàn)一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法戴choker就是m吗，戴choker什么意思对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文戴choker就是m吗，戴choker什么意思称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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