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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。抬起一条腿对正往里怼是什么意思，一条腿抬起来

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。20抬起一条腿对正往里怼是什么意思，一条腿抬起来22年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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