大(dà)家好(hǎo)，来(lái)看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大(d兰州大学电子邮箱地址，兰州大学邮箱入口à)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 兰州大学电子邮箱地址，兰州大学邮箱入口