大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　凸面镜和凹面镜成像的特点是什么呢，凸面镜与凹面镜成像特点分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务(w凸面镜和凹面镜成像的特点是什么呢，凸面镜与凹面镜成像特点ù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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