大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期rong>

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gō宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期ng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。