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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(q奶啤是什么做的，奶啤是什么做的酒uán)审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙奶啤是什么做的，奶啤是什么做的酒第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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