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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规不删前女友的男人能要吗，男人为啥不删前女友，我国(guó)内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查不删前女友的男人能要吗，男人为啥不删前女友，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(不删前女友的男人能要吗，男人为啥不删前女友nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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