大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司产品进行网叠罗汉暗示什么意思，为什么男生喜欢叠罗汉络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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