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　　大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营者应停止(zh观音山上观山水下联是什么，观音山有下联了获奖名单ǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查观音山上观山水下联是什么，观音山有下联了获奖名单，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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