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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星(x八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇īng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储(八一勋章享受什么待遇，得了八一勋章享受什么待遇chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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