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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台一尺九的腰围是多少厘米 一尺九的腰围是26还是27产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采一尺九的腰围是多少厘米 一尺九的腰围是26还是27(cǎi)购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需一尺九的腰围是多少厘米 一尺九的腰围是26还是27求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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