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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的rong>

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ鲜衣怒马少年时,不负韶华行且知，鲜衣怒马少年时全诗谁写的)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。