大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　<0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题strong>美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜0是有理数吗还是无理数，0是有理数吗？判断题沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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